







基片置于合适的位置是获得均匀薄膜的前提条件.
b、压强的大小. 为了---膜层,压强应尽可能低pr≦(pa)
l表示蒸发源到基片的距离为l(cm)。
c、蒸发速率.蒸发速率小时,沉积的膜料原子(或分子)上---吸附气体分子,因而形成的膜层结构疏松,山东处理镀钛加工,颗粒粗大,缺陷多;反之,处理镀钛加工,膜层结构均匀致密,机械强度高,膜层内应力大.
d、基片的温度.在通常情况下,基片温度高时,吸附原子的动能随之增大,形成的薄膜容易结晶化,处理镀钛加工价格,并使晶格缺陷减少;基片温度低时,处理镀钛加工电话,则没有足够大的能量供给吸附原子,因而容易形成无定形态薄膜.

在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
pvd真空镀层按照膜层应用来分类可分为装饰膜层和硬质膜层:
装饰膜层可以---工件外观装饰性能和色泽同时使工件更耐磨耐腐蚀;硬质膜层用于提高工件的表面硬度和耐磨性,降低表面的摩擦系数,提高工件的使用寿命。

离子镀
在真空条件下,利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离,并在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下,将蒸发物质或其反应物沉积在基片上的方法。可将离子发生源与工作室分离,克服了溅射镀膜为了持续放弧而必须保持较高的工作气压的缺陷,高能离子对衬底和沉积薄膜表面的轰击---了薄膜的附着力和,是一种结合了蒸发镀膜和溅射镀膜优势的pvd技术。
根据离化方式的不同,常用的离子源有考夫曼离子源、射频离子源、霍尔离子源、冷阴极离子源、电子回旋离子源等。

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